2N2018 vs 2N2907 | 规格参数对比 | 0086IC.COM

2N2018

2N2018

Active

晶体管 - 双极（BJT） - 单双极晶体管

描述: TRANS NPN 125V 1A TO111

制造商: General Semiconductor

数据手册: 2N2018 数据手册

历史价格: Active

在库: 33000

2N2018 vs 2N2907

零件编号

分类

晶体管 - 双极（BJT） - 单双极晶体管

晶体管 - 双极（BJT） - 单双极晶体管

制造商

General Semiconductor

系列

-

-

包装

Bulk

Bulk

状态

Active

Active

晶体管类型

-

PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

1 A

600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

125 V

40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）

6V @ 100mA, 1A

1.6V @ 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止（最大值）

100μA (ICBO)

20nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

20 @ 500mA, 10V

100 @ 150mA, 10V

功率 - 最大值

20 W

1.8 W

频率 - 跃迁

2MHz

200MHz

工作温度

-

200 ℃ (TJ)

安装类型

Stud Mount

Through Hole

封装/外壳

TO-111-4, Stud

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供应商器件封装

TO-111

TO-18