2N2779 vs 2N2811 | 规格参数对比 | 0086IC.COM

2N2779

2N2779

Active

晶体管 - 双极（BJT） - 单双极晶体管

描述: POWER BJT

制造商: Microchip Technology

数据手册: 2N2779 数据手册

历史价格: $471.90000

在库: 35500

2N2779 vs 2N2811

零件编号

分类

晶体管 - 双极（BJT） - 单双极晶体管

晶体管 - 双极（BJT） - 单双极晶体管

制造商

Microchip Technology

Microchip Technology

系列

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包装

Bulk

Bulk

状态

Active

Active

晶体管类型

PNP

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电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

30 A

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电压 - 集射极击穿（最大值）

250 V

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不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

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功率 - 最大值

200 W

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频率 - 跃迁

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工作温度

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

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安装类型

Stud Mount

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封装/外壳

TO-211MB, TO-63-4, Stud

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供应商器件封装

TO-63

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