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晶体管 - 双极(BJT) - 单双极晶体管
/ NTE Electronics 2N5416
2N5416
Active
晶体管 - 双极(BJT) - 单双极晶体管
描述:
TRANS PNP 300V 1A TO39
制造商:
NTE Electronics
数据手册:
2N5416 数据手册
历史价格: $1.50000
在库: 12000
分销商
规格参数
替代
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制造商
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询价数量
国家/地区
提交询价
2N5416 vs 2N5551CYTA
零件编号
2N5416
2N5551CYTA
分类
晶体管 - 双极(BJT) - 单双极晶体管
晶体管 - 双极(BJT) - 单双极晶体管
制造商
NTE Electronics
onsemi
系列
-
-
包装
Bag
Tape & Box (TB)
状态
Active
Obsolete
晶体管类型
PNP
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
1 A
600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
300 V
160 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
2.5V @ 5mA, 50mA
200mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大值)
50μA
50nA (ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
30 @ 50mA, 10V
80 @ 10mA, 5V
功率 - 最大值
1 W
625 mW
频率 - 跃迁
15MHz
100MHz
工作温度
-
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
安装类型
Through Hole
Through Hole
封装/外壳
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装
TO-39
TO-92-3