2N5877 vs 2N5401 | 规格参数对比 | 0086IC.COM

2N5877

2N5877

Active

晶体管 - 双极（BJT） - 单双极晶体管

描述: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

制造商: Microchip Technology

数据手册: 2N5877 数据手册

历史价格: $69.36000

在库: 38000

2N5877 vs 2N5401

零件编号

分类

晶体管 - 双极（BJT） - 单双极晶体管

晶体管 - 双极（BJT） - 单双极晶体管

制造商

Microchip Technology

NTE Electronics

系列

-

-

包装

Bulk

Bag

状态

Active

Active

晶体管类型

-

PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

-

600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

-

150 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）

-

500mV @ 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止（最大值）

-

50nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

-

60 @ 10mA, 5V

功率 - 最大值

-

625 mW

频率 - 跃迁

-

300MHz

工作温度

-

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

安装类型

-

Through Hole

封装/外壳

-

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

供应商器件封装

-

TO-92 (TO-226)