2N5880 vs 2N5886 | 规格参数对比 | 0086IC.COM

2N5880

2N5880

Active

晶体管 - 双极（BJT） - 单双极晶体管

描述: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

制造商: Microchip Technology

数据手册: 2N5880 数据手册

历史价格: $45.25500

在库: 26500

2N5880 vs 2N5886

零件编号

分类

晶体管 - 双极（BJT） - 单双极晶体管

晶体管 - 双极（BJT） - 单双极晶体管

制造商

Microchip Technology

NTE Electronics

系列

-

-

包装

Bulk

Bag

状态

Active

Active

晶体管类型

-

NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

-

25 A

电压 - 集射极击穿（最大值）

-

80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）

-

1V @ 1.5A, 15A

电流 - 集电极截止（最大值）

-

2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

-

20 @ 10A, 4V

功率 - 最大值

-

200 W

频率 - 跃迁

-

4MHz

工作温度

-

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

安装类型

-

Through Hole

封装/外壳

-

TO-204AA, TO-3

供应商器件封装

-

TO-204 (TO-3)