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晶体管 - 双极(BJT) - 单双极晶体管
/ Microchip Technology 2N5883
2N5883
Active
晶体管 - 双极(BJT) - 单双极晶体管
描述:
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
制造商:
Microchip Technology
数据手册:
2N5883 数据手册
历史价格: $45.25500
在库: 13750
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规格参数
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国家/地区
提交询价
2N5883 vs 2N5962
零件编号
2N5883
2N5962
分类
晶体管 - 双极(BJT) - 单双极晶体管
晶体管 - 双极(BJT) - 单双极晶体管
制造商
Microchip Technology
onsemi
系列
-
-
包装
Bulk
Bulk
状态
Active
Obsolete
晶体管类型
-
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
-
100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
-
45 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
-
200mV @ 500μA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
-
2nA (ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
-
600 @ 10mA, 5V
功率 - 最大值
-
625 mW
频率 - 跃迁
-
-
工作温度
-
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
安装类型
-
Through Hole
封装/外壳
-
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装
-
TO-92-3