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晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
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2N6661-2
Obsolete
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
描述:
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
制造商:
Vishay
数据手册:
2N6661-2 数据手册
历史价格: Obsolete
在库: 45750
分销商
规格参数
替代
零件编号
制造商
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询价数量
国家/地区
提交询价
2N6661-2 vs 2N6787
零件编号
2N6661-2
2N6787
分类
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
制造商
Vishay
International Rectifier
系列
-
-
包装
Tube
Bulk
状态
Obsolete
Active
FET 类型
N-Channel
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
90 V
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
860mA (Tc)
6A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V, 10V
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4Ohm @ 1A, 10V
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
-
Vgs（最大值）
?0V
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V
-
FET 功能
-
-
功率耗散（最大值）
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
20W
工作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-
安装类型
Through Hole
Through Hole
供应商器件封装
TO-39
TO-205AF (TO-39)
封装/外壳
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
TO-205AF Metal Can
