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晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
/ Harris Corporation 2N6759
2N6759
Active
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
描述:
N-CHANNEL POWER MOSFET
制造商:
Harris Corporation
数据手册:
2N6759 数据手册
历史价格: Active
在库: 27500
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规格参数
替代
零件编号
制造商
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询价数量
国家/地区
提交询价
2N6759 vs 2N6849
零件编号
2N6759
2N6849
分类
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
制造商
Harris Corporation
Microsemi Corporation
系列
-
-
包装
Bulk
Bulk
状态
Active
Obsolete
FET 类型
N-Channel
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
350 V
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A (Tc)
6.5A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5Ohm @ 3A, 10V
320mOhm @ 6.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
34.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
?0V
?0V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
800 pF @ 25 V
-
FET 功能
-
-
功率耗散（最大值）
75W (Tc)
800mW (Ta), 25W (Tc)
工作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
安装类型
Through Hole
Through Hole
供应商器件封装
TO-3
TO-39
封装/外壳
TO-204AA
TO-205AF Metal Can
