CSD75207W15 vs CSD87313DMS | 规格参数对比 | 0086IC.COM

CSD75207W15

CSD75207W15

Active

晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列

描述: MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA

制造商: Texas Instruments

数据手册: CSD75207W15 数据手册

历史价格: $0.68000

在库: 35750

CSD75207W15 vs CSD87313DMS

零件编号

分类

晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列

晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列

制造商

Texas Instruments

Texas Instruments

系列

NexFET

NexFET

包装

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

状态

Active

Active

技术

2 P-Channel (Dual) Common Source

2 N-Channel (Dual) Common Drain

配置

Logic Level Gate

Standard

FET 功能

-

30V

漏源电压（Vdss）

3.9A

-

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

162mOhm @ 1A, 1.8V

-

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.1V @ 250μA

1.25V @ 250μA

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7nC @ 4.5V

28nC @ 4.5V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

595pF @ 10V

4290pF @ 15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

700mW

-

功率 - 最大值

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

工作温度

Surface Mount

Surface Mount

安装类型

9-UFBGA, DSBGA

8-PowerWDFN

封装/外壳

9-DSBGA

8-WSON (3.3x3.3)

供应商器件封装

-

-