CSD87312Q3E vs CSD87331Q3D | 规格参数对比 | 0086IC.COM

CSD87312Q3E

CSD87312Q3E

Active

晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列

描述: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

制造商: Texas Instruments

数据手册: CSD87312Q3E 数据手册

历史价格: $1.64000

在库: 10500

CSD87312Q3E vs CSD87331Q3D

零件编号

分类

晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列

晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列

制造商

Texas Instruments

Texas Instruments

系列

NexFET

NexFET

包装

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

状态

Active

Active

技术

2 N-Channel (Dual) Common Source

2 N-Channel (Half Bridge)

配置

Logic Level Gate

Standard

FET 功能

30V

30V

漏源电压（Vdss）

27A

15A

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

33mOhm @ 7A , 8V

-

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.3V @ 250μA

2.1V, 1.2V @ 250μA

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

8.2nC @ 4.5V

3.2nC @ 4.5V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

1250pF @ 15V

518pF @ 15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2.5W

6W

功率 - 最大值

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

工作温度

Surface Mount

Surface Mount

安装类型

8-PowerTDFN

8-PowerLDFN

封装/外壳

8-VSON (3.3x3.3)

8-LSON (5x6)

供应商器件封装

-

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