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晶体管 - FET,MOSFET - FET、MOSFET 阵列
/ Texas Instruments CSD87313DMS
CSD87313DMS
Active
晶体管 - FET,MOSFET - FET、MOSFET 阵列
描述:
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
制造商:
Texas Instruments
数据手册:
CSD87313DMS 数据手册
历史价格: $0.86468
在库: 5500
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规格参数
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CSD87313DMS vs CSD75207W15
零件编号
CSD87313DMS
CSD75207W15
分类
晶体管 - FET,MOSFET - FET、MOSFET 阵列
晶体管 - FET,MOSFET - FET、MOSFET 阵列
制造商
Texas Instruments
Texas Instruments
系列
NexFET
NexFET
包装
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
状态
Active
Active
技术
2 N-Channel (Dual) Common Drain
2 P-Channel (Dual) Common Source
配置
Standard
Logic Level Gate
FET 功能
30V
-
漏源电压(Vdss)
-
3.9A
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
162mOhm @ 1A, 1.8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.25V @ 250μA
1.1V @ 250μA
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
28nC @ 4.5V
3.7nC @ 4.5V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4290pF @ 15V
595pF @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
-
700mW
功率 - 最大值
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
工作温度
Surface Mount
Surface Mount
安装类型
8-PowerWDFN
9-UFBGA, DSBGA
封装/外壳
8-WSON (3.3x3.3)
9-DSBGA
供应商器件封装
-
-