DMN2029USD-13 vs DMN2050LFDB-7 | 规格参数对比 | 0086IC.COM

DMN2029USD-13

DMN2029USD-13

Active

晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列

描述: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

制造商: Diodes Inc

数据手册: DMN2029USD-13 数据手册

历史价格: $0.42000

在库: 24500

DMN2029USD-13 vs DMN2050LFDB-7

零件编号

分类

晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列

晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列

制造商

系列

-

-

包装

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

状态

Active

Active

技术

2 N-Channel (Dual)

2 N-Channel (Dual)

配置

Logic Level Gate

Logic Level Gate

FET 功能

20V

20V

漏源电压（Vdss）

5.8A

3.3A

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

25mOhm @ 6.5A, 4.5V

45mOhm @ 5A, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.5V @ 250μA

1V @ 250μA

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

18.6nC @ 8V

12nC @ 10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

1171pF @ 10V

389pF @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1.2W

730mW

功率 - 最大值

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

工作温度

Surface Mount

Surface Mount

安装类型

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

6-UDFN Exposed Pad

封装/外壳

8-SO

U-DFN2020-6 (Type B)

供应商器件封装

-

-