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DMN2050LFDB-7
DMN2050LFDB-7
Active
描述:  MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
制造商:  Diodes Inc
历史价格: $0.40000
在库: 9000
DMN2050LFDB-7 vs DMN2004DMK-7
系列
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包装
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
状态
Active
Active
技术
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
配置
Logic Level Gate
Logic Level Gate
FET 功能
20V
20V
漏源电压(Vdss)
3.3A
540mA
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
45mOhm @ 5A, 4.5V
550mOhm @ 540mA, 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1V @ 250μA
1V @ 250μA
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
12nC @ 10V
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
389pF @ 10V
150pF @ 16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
730mW
225mW
功率 - 最大值
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
工作温度
Surface Mount
Surface Mount
安装类型
6-UDFN Exposed Pad
SOT-23-6
封装/外壳
U-DFN2020-6 (Type B)
SOT-26
供应商器件封装
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