DMN2050LFDB-7 vs DMN2041LSD-13 | 规格参数对比 | 0086IC.COM

DMN2050LFDB-7

DMN2050LFDB-7

Active

晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列

描述: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

制造商: Diodes Inc

数据手册: DMN2050LFDB-7 数据手册

历史价格: $0.40000

在库: 9000

DMN2050LFDB-7 vs DMN2041LSD-13

零件编号

分类

晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列

晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列

制造商

系列

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包装

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

状态

Active

Active

技术

2 N-Channel (Dual)

2 N-Channel (Dual)

配置

Logic Level Gate

Logic Level Gate

FET 功能

20V

20V

漏源电压（Vdss）

3.3A

7.63A

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

45mOhm @ 5A, 4.5V

28mOhm @ 6A, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1V @ 250μA

1.2V @ 250μA

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

12nC @ 10V

15.6nC @ 10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

389pF @ 10V

550pF @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

730mW

1.16W

功率 - 最大值

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

工作温度

Surface Mount

Surface Mount

安装类型

6-UDFN Exposed Pad

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

封装/外壳

U-DFN2020-6 (Type B)

8-SO

供应商器件封装

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