☰
DMN2050LFDB-7
DMN2050LFDB-7
Active
描述:  MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
制造商:  Diodes Inc
历史价格: $0.40000
在库: 9000
DMN2050LFDB-7 vs DMN32D2LDF-7
系列
-
-
包装
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
状态
Active
Active
技术
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual) Common Source
配置
Logic Level Gate
Logic Level Gate
FET 功能
20V
30V
漏源电压(Vdss)
3.3A
400mA
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
45mOhm @ 5A, 4.5V
1.2Ohm @ 100mA, 4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1V @ 250μA
1.2V @ 250μA
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
12nC @ 10V
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
389pF @ 10V
39pF @ 3V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
730mW
280mW
功率 - 最大值
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
工作温度
Surface Mount
Surface Mount
安装类型
6-UDFN Exposed Pad
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
封装/外壳
U-DFN2020-6 (Type B)
SOT-353
供应商器件封装
-
-