DMN3032LFDB-7 vs DMN3055LFDB-7 | 规格参数对比 | 0086IC.COM

DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

Active

晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列

描述: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

制造商: Diodes Inc

数据手册: DMN3032LFDB-7 数据手册

历史价格: $0.42000

在库: 10750

DMN3032LFDB-7 vs DMN3055LFDB-7

零件编号

分类

晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列

晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列

制造商

系列

-

-

包装

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

状态

Active

Active

技术

2 N-Channel (Dual)

2 N-Channel (Dual)

配置

Standard

Standard

FET 功能

30V

-

漏源电压（Vdss）

6.2A

5A (Ta)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

30mOhm @ 5.8A, 10V

40mOhm @ 3A, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

2V @ 250μA

1.5V @ 250μA

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

10.6nC @ 10V

5.3nC @ 4.5V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

500pF @ 15V

458pF @ 15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1W

-

功率 - 最大值

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

工作温度

Surface Mount

Surface Mount

安装类型

6-UDFN Exposed Pad

6-UDFN Exposed Pad

封装/外壳

U-DFN2020-6 (Type B)

U-DFN2020-6 (Type B)

供应商器件封装

-

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