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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET,MOSFET
/ onsemi FDM3622
FDM3622
Active
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET,MOSFET
描述:
MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
制造商:
onsemi
数据手册:
FDM3622 数据手册
历史价格: $1.74000
在库: 32000
分销商
规格参数
替代
零件编号
制造商
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询价数量
国家/地区
提交询价
FDM3622 vs FDMS8692
零件编号
FDM3622
FDMS8692
分类
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET,MOSFET
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET,MOSFET
制造商
onsemi
Fairchild Semiconductor
系列
PowerTrench
PowerTrench
包装
Tape & Reel (TR)
Bulk
状态
Active
Obsolete
FET 类型
N-Channel
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
100 V
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.4A (Ta)
12A (Ta), 28A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V, 10V
4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
60mOhm @ 4.4A, 10V
9mOhm @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
17 nC @ 10 V
21 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
?0V
?0V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1090 pF @ 25 V
1265 pF @ 15 V
FET 功能
-
-
功率耗散(最大值)
2.1W (Ta)
2.5W (Ta), 41W (Tc)
工作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
安装类型
Surface Mount
Surface Mount
供应商器件封装
8-MLP (3.3x3.3)
8-PQFN (5x6)
封装/外壳
8-PowerWDFN
8-PowerTDFN