FDM3622 vs FDMT80060DC | 规格参数对比 | 0086IC.COM

FDM3622

FDM3622

Active

晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET

描述: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP

制造商: onsemi

数据手册: FDM3622 数据手册

历史价格: $1.74000

在库: 24000

FDM3622 vs FDMT80060DC

零件编号

分类

晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET

晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET

制造商

系列

PowerTrench

Dual Cool, PowerTrench

包装

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

状态

Active

Active

FET 类型

N-Channel

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）

100 V

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.4A (Ta)

43A (Ta), 292A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V, 10V

8V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

60mOhm @ 4.4A, 10V

1.1mOhm @ 43A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

17 nC @ 10 V

238 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

?0V

?0V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1090 pF @ 25 V

20170 pF @ 30 V

FET 功能

-

-

功率耗散（最大值）

2.1W (Ta)

3.2W (Ta), 156W (Tc)

工作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

安装类型

Surface Mount

Surface Mount

供应商器件封装

8-MLP (3.3x3.3)

8-Dual Cool?88

封装/外壳

8-PowerWDFN

8-PowerVDFN