FDMA410NZ vs FDMT80040DC | 规格参数对比 | 0086IC.COM

FDMA410NZ

FDMA410NZ

Active

晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET

描述: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

制造商: onsemi

数据手册: FDMA410NZ 数据手册

历史价格: $1.01000

在库: 10500

FDMA410NZ vs FDMT80040DC

零件编号

分类

晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET

晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET

制造商

系列

PowerTrench

-

包装

Tape & Reel (TR)

Tape & Reel (TR)

状态

Active

Active

FET 类型

N-Channel

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）

20 V

40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

9.5A (Ta)

420A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

1.5V, 4.5V

6V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

23mOhm @ 9.5A, 4.5V

0.56mOhm @ 64A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

14 nC @ 4.5 V

338 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

?V

?0V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1080 pF @ 10 V

26110 pF @ 20 V

FET 功能

-

-

功率耗散（最大值）

2.4W (Ta)

156W (Tc)

工作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

安装类型

Surface Mount

Surface Mount

供应商器件封装

6-MicroFET (2x2)

8-Dual Cool?88

封装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

8-PowerVDFN