MT29F2G01ABAGD12-AAT:G vs MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H | 规格参数对比

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G

Active

存储器

描述: IC FLASH 2GBIT SPI 83MHZ 24TPBGA

制造商: Micron Technology

数据手册: MT29F2G01ABAGD12-AAT:G 数据手册

历史价格: $2.79624

在库: 49000

分销商

规格参数

替代

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G vs MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H

零件编号

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H

分类

存储器

制造商

Micron Technology

系列

包装

Tray

状态

Active

Obsolete

存储器类型

Non-Volatile

Non-Volatile, Volatile

存储器格式

FLASH

FLASH, RAM

技术

FLASH - NAND

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2

存储容量

2Gbit

1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDDR2)

存储器组织

2G x 1

128M x 8 (NAND), 32M x 16 (LPDDR2)

存储器接口

SPI

Parallel

时钟频率

83 MHz

533 MHz

写周期时间 - 字，页

访问时间

电压 - 供电

2.7V ~ 3.6V

1.8V

工作温度

-40 ℃ ~ 105 ℃ (TC)

-25 ℃ ~ 85 ℃ (TA)

安装类型

Surface Mount

封装/外壳

24-TBGA

121-WFBGA

供应商器件封装

24-T-PBGA (6x8)

121-VFBGA (8x7.5)