存储器类型
Non-Volatile
Non-Volatile, Volatile
技术
FLASH - NAND
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
存储容量
8Gbit
1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDDR2)
存储器组织
512M x 16
128M x 8 (NAND), 32M x 16 (LPDDR2)
电压 - 供电
1.7V ~ 1.95V
1.8V
工作温度
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
安装类型
Surface Mount
Surface Mount
供应商器件封装
63-VFBGA (9x11)
121-VFBGA (8x7.5)