MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR vs MT29F64G08CBCGBJ4-37ES:G TR | 规格参数对比

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

Obsolete

存储器

描述: IC FLASH RAM 1GBIT PAR 121VFBGA

制造商: Micron Technology

数据手册: MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR 数据手册

历史价格: Obsolete

在库: 40000

分销商

规格参数

替代

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR vs MT29F64G08CBCGBJ4-37ES:G TR

零件编号

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

MT29F64G08CBCGBJ4-37ES:G TR

分类

存储器

制造商

Micron Technology

系列

包装

Tape & Reel (TR)

状态

Obsolete

Active

存储器类型

Non-Volatile, Volatile

Non-Volatile

存储器格式

FLASH, RAM

FLASH

技术

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2

FLASH - NAND

存储容量

1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDDR2)

64Gbit

存储器组织

128M x 8 (NAND), 32M x 16 (LPDDR2)

8G x 8

存储器接口

Parallel

时钟频率

533 MHz

267 MHz

写周期时间 - 字，页

访问时间

电压 - 供电

1.8V

2.7V ~ 3.6V

工作温度

-25 ℃ ~ 85 ℃ (TA)

0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)

安装类型

Surface Mount

封装/外壳

121-WFBGA

132-VBGA

供应商器件封装

121-VFBGA (8x7.5)

132-VBGA (12x18)