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MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR
Obsolete
描述:  IC FLASH RAM 1GBIT PAR 121VFBGA
制造商:  Micron Technology
历史价格: Obsolete
在库: 40000
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR vs MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C
系列
-
-
包装
Tape & Reel (TR)
Tray
状态
Obsolete
Obsolete
存储器类型
Non-Volatile, Volatile
Non-Volatile, Volatile
存储器格式
FLASH, RAM
FLASH, RAM
技术
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
存储容量
1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDDR2)
4Gbit (NAND), 4Gbit (LPDDR2)
存储器组织
128M x 8 (NAND), 32M x 16 (LPDDR2)
128M x 32 (NAND), 128M x 32 (LPDDR2)
存储器接口
Parallel
Parallel
时钟频率
533 MHz
533 MHz
写周期时间 - 字,页
-
-
访问时间
-
-
电压 - 供电
1.8V
1.8V
工作温度
-25 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
安装类型
Surface Mount
Surface Mount
封装/外壳
121-WFBGA
162-VFBGA
供应商器件封装
121-VFBGA (8x7.5)
162-VFBGA (10.5x8)