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首页  /  分立半导体产品  /  晶体管 - IGBT - 单 IGBT  /  Microsemi Corporation APT30GP60B2DLG
APT30GP60B2DLG
APT30GP60B2DLG
Active
晶体管 - IGBT - 单 IGBT
描述:  IGBT 600V 100A 463W TMAX
制造商:  Microsemi Corporation
数据手册:   APT30GP60B2DLG 数据手册
历史价格: Active
在库: 32500
分销商
规格参数
替代
APT30GP60B2DLG 规格参数
规格参数
零件编号
APT30GP60B2DLG
分类
晶体管 - IGBT - 单 IGBT
制造商
Microsemi Corporation
系列
-
包装
Tube
状态
Active
环境合规
是否含铅
否
抗辐射硬化
否
REACH SVHC
无SVHC
RoHS
符合
海关编码
-
技术参数
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.7V @ 15V, 30A
功率 - 最大值
463 W
开关能量
260μJ (on), 250μJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
90 nC
25°C 时 Td（开/关）值
13ns/55ns
测试条件
400V, 30A, 5Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr)
-
工作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
T-MAX?
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