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首页  /  分立半导体产品  /  晶体管 - IGBT - 单 IGBT  /  Microchip Technology APT50GN60BDQ3G
APT50GN60BDQ3G
APT50GN60BDQ3G
Active
晶体管 - IGBT - 单 IGBT
描述:  IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 50A TO
制造商:  Microchip Technology
数据手册:   APT50GN60BDQ3G 数据手册
历史价格: $10.60000
在库: 19000
分销商
规格参数
替代
APT50GN60BDQ3G 规格参数
规格参数
零件编号
APT50GN60BDQ3G
分类
晶体管 - IGBT - 单 IGBT
制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
Tube
状态
Active
环境合规
是否含铅
否
抗辐射硬化
否
REACH SVHC
无SVHC
RoHS
符合
海关编码
-
技术参数
IGBT 类型
Trench Field Stop
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
107 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.85V @ 15V, 50A
功率 - 最大值
366 W
开关能量
1.185mJ (on), 1.565mJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
325 nC
25°C 时 Td（开/关）值
20ns/230ns
测试条件
400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr)
35 ns
工作温度
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
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