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首页  /  分立半导体产品  /  晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列  /  Texas Instruments CSD75205W1015
CSD75205W1015
CSD75205W1015
Obsolete
晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列
描述:  MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
制造商:  Texas Instruments
数据手册:   CSD75205W1015 数据手册
历史价格: Obsolete
在库: 41000
分销商
规格参数
替代
CSD75205W1015 规格参数
规格参数
零件编号
CSD75205W1015
分类
晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET
包装
Tape & Reel (TR)
状态
Obsolete
环境合规
是否含铅
否
抗辐射硬化
否
REACH SVHC
无SVHC
RoHS
符合
海关编码
-
技术参数
技术
2 P-Channel (Dual)
配置
Logic Level Gate
FET 功能
20V
漏源电压（Vdss）
1.2A
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120mOhm @ 1A, 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
850mV @ 250μA
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2nC @ 4.5V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
265pF @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
750mW
功率 - 最大值
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
工作温度
Surface Mount
安装类型
6-UFBGA, DSBGA
封装/外壳
6-DSBGA (1x1.5)
供应商器件封装
-
CSD75205W1015 PDF数据表
CSD75205W1015 数据手册
点击下载: CSD75205W1015 数据手册
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