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晶体管 - IGBT - 单 IGBT
/ Fairchild Semiconductor FGA3060ADF
FGA3060ADF
Active
晶体管 - IGBT - 单 IGBT
描述:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
制造商:
Fairchild Semiconductor
数据手册:
FGA3060ADF 数据手册
历史价格: $1.37000
在库: 17000
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FGA3060ADF 规格参数
规格参数
零件编号
FGA3060ADF
分类
晶体管 - IGBT - 单 IGBT
制造商
Fairchild Semiconductor
系列
-
包装
Bulk
状态
Active
环境合规
是否含铅
否
抗辐射硬化
否
REACH SVHC
无SVHC
RoHS
符合
海关编码
-
技术参数
IGBT 类型
Trench Field Stop
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.3V @ 15V, 30A
功率 - 最大值
176 W
开关能量
960μJ (on), 165μJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
37.4 nC
25°C 时 Td（开/关）值
12ns/42.4ns
测试条件
400V, 30A, 6Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr)
26 ns
工作温度
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装
TO-3PN
FGA3060ADF PDF数据表
FGA3060ADF 数据手册
点击下载: FGA3060ADF 数据手册
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