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FGA30S120P
FGA30S120P
Active
晶体管 - IGBT - 单 IGBT
描述:  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
制造商:  Fairchild Semiconductor
数据手册:   FGA30S120P 数据手册
历史价格: Active
在库: 20500
分销商
规格参数
替代
FGA30S120P 规格参数
规格参数
零件编号
FGA30S120P
分类
晶体管 - IGBT - 单 IGBT
制造商
Fairchild Semiconductor
系列
-
包装
Bulk
状态
Active
环境合规
是否含铅
否
抗辐射硬化
否
REACH SVHC
无SVHC
RoHS
符合
海关编码
-
技术参数
IGBT 类型
Trench Field Stop
电压 - 集射极击穿（最大值）
1300 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.3V @ 15V, 30A
功率 - 最大值
348 W
开关能量
-
输入类型
Standard
栅极电荷
78 nC
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
-
反向恢复时间 (trr)
-
工作温度
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装
TO-3PN
FGA30S120P PDF数据表
FGA30S120P 数据手册
点击下载: FGA30S120P 数据手册
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