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首页  /  分立半导体产品  /  晶体管 - IGBT - 单 IGBT  /  onsemi FGA50N100BNTDTU
FGA50N100BNTDTU
FGA50N100BNTDTU
Obsolete
晶体管 - IGBT - 单 IGBT
描述:  IGBT 1000V 50A 156W TO3P
制造商:  onsemi
数据手册:   FGA50N100BNTDTU 数据手册
历史价格: Obsolete
在库: 31000
分销商
规格参数
替代
FGA50N100BNTDTU 规格参数
规格参数
零件编号
FGA50N100BNTDTU
分类
晶体管 - IGBT - 单 IGBT
制造商
onsemi
系列
-
包装
Tube
状态
Obsolete
环境合规
是否含铅
否
抗辐射硬化
否
REACH SVHC
无SVHC
RoHS
符合
海关编码
-
技术参数
IGBT 类型
NPT and Trench
电压 - 集射极击穿（最大值）
1000 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
100 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.9V @ 15V, 60A
功率 - 最大值
156 W
开关能量
-
输入类型
Standard
栅极电荷
275 nC
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
-
反向恢复时间 (trr)
1.5 μs
工作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
FGA50N100BNTDTU PDF数据表
FGA50N100BNTDTU 数据手册
点击下载: FGA50N100BNTDTU 数据手册
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