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STGB20M65DF2
STGB20M65DF2
Active
晶体管 - IGBT - 单 IGBT
描述:  IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK
制造商:  STMicroelectronics
数据手册:   STGB20M65DF2 数据手册
历史价格: $2.38000
在库: 3000
分销商
规格参数
替代
STGB20M65DF2 规格参数
规格参数
零件编号
STGB20M65DF2
分类
晶体管 - IGBT - 单 IGBT
制造商
STMicroelectronics
系列
M
包装
Tape & Reel (TR)
状态
Active
环境合规
是否含铅
否
抗辐射硬化
否
REACH SVHC
无SVHC
RoHS
符合
海关编码
-
技术参数
IGBT 类型
Trench Field Stop
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V, 20A
功率 - 最大值
166 W
开关能量
140μJ (on), 560μJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
63 nC
25°C 时 Td（开/关）值
26ns/108ns
测试条件
400V, 20A, 12Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr)
166 ns
工作温度
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
STGB20M65DF2 PDF数据表
STGB20M65DF2 数据手册
点击下载: STGB20M65DF2 数据手册
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