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晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列
/ Rohm Semiconductor US6M11TR
US6M11TR
Active
晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列
描述:
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
制造商:
Rohm Semiconductor
数据手册:
US6M11TR 数据手册
历史价格: $0.67000
在库: 1500
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US6M11TR 规格参数
规格参数
零件编号
US6M11TR
分类
晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
状态
Active
环境合规
是否含铅
否
抗辐射硬化
否
REACH SVHC
无SVHC
RoHS
符合
海关编码
-
技术参数
技术
N and P-Channel
配置
Logic Level Gate
FET 功能
20V, 12V
漏源电压（Vdss）
1.5A, 1.3A
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1V @ 1mA
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8nC @ 4.5V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
110pF @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1W
功率 - 最大值
150 ℃ (TJ)
工作温度
Surface Mount
安装类型
6-SMD, Flat Leads
封装/外壳
TUMT6
供应商器件封装
-
US6M11TR PDF数据表
US6M11TR 数据手册
点击下载: US6M11TR 数据手册
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