2N6661-E3 vs 2N6786 | 规格参数对比 | 0086IC.COM

2N6661-E3

2N6661-E3

Obsolete

晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET

描述: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

制造商: Vishay

数据手册: 2N6661-E3 数据手册

历史价格: Obsolete

在库: 44000

2N6661-E3 vs 2N6786

零件编号

分类

晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET

晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET

制造商

Harris Corporation

系列

-

-

包装

Tube

Bulk

状态

Obsolete

Active

FET 类型

N-Channel

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）

90 V

400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

860mA (Tc)

1.25A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

5V, 10V

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

4Ohm @ 1A, 10V

3.7Ohm @ 1.25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

-

12 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

?0V

?0V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

50 pF @ 25 V

170 pF @ 25 V

FET 功能

-

-

功率耗散（最大值）

725mW (Ta), 6.25W (Tc)

15W (Tc)

工作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

安装类型

Through Hole

Through Hole

供应商器件封装

TO-39

TO-205AF (TO-39)

封装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

TO-205AF Metal Can