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2N6661-E3
2N6661-E3
Obsolete
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
描述:  MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
制造商:  Vishay
数据手册:   2N6661-E3 数据手册
历史价格: Obsolete
在库: 44000
分销商
规格参数
替代
2N6661-E3 规格参数
规格参数
零件编号
2N6661-E3
分类
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
制造商
Vishay
系列
-
包装
Tube
状态
Obsolete
环境合规
是否含铅
否
抗辐射硬化
否
REACH SVHC
无SVHC
RoHS
符合
海关编码
-
技术参数
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
90 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
860mA (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4Ohm @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
Vgs（最大值）
?0V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-39
封装/外壳
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
2N6661-E3 PDF数据表
2N6661-E3 数据手册
点击下载: 2N6661-E3 数据手册
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