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首页  /  分立半导体产品  /  晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列  /  Texas Instruments CSD85302LT
CSD85302LT
CSD85302LT
Active
晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列
描述:  MOSFET 2N-CH
制造商:  Texas Instruments
数据手册:   CSD85302LT 数据手册
历史价格: $1.17000
在库: 42000
分销商
规格参数
替代
CSD85302LT 规格参数
规格参数
零件编号
CSD85302LT
分类
晶体管 - FET，MOSFET - FET、MOSFET 阵列
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET
包装
Tape & Reel (TR)
状态
Active
环境合规
是否含铅
否
抗辐射硬化
否
REACH SVHC
无SVHC
RoHS
符合
海关编码
-
技术参数
技术
2 N-Channel (Dual) Common Drain
配置
Standard
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
7.8nC @ 4.5V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1.7W
功率 - 最大值
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
工作温度
Surface Mount
安装类型
4-XFLGA
封装/外壳
4-Picostar (1.31x1.31)
供应商器件封装
-
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